Samsung mit erstem Toggle DDR 2.0 MLC-NAND-Flash
Samsung Electronics hat als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion eines Hochleistungs-Toggle DDR 2.0 Multi-Level-Cell (MLC) Speicherchips begonnen. Der neue NAND-Flash-Chip verfügt über ein Speichervolumen von 64 Gigabit …
Samsung Electronics hat als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion eines Hochleistungs-Toggle DDR 2.0 Multi-Level-Cell (MLC) Speicherchips begonnen. Der neue NAND-Flash-Chip verfügt über ein Speichervolumen von 64 Gigabit …