Toshiba stapelt Flash-Speicher mit Durchkontaktierungen
Senkrechte Bohrungen und Durchkontaktierungen direkt durch das Silizium an Stelle von Drähten am Rand: Mit Through Silicon Vias baut Toshiba besonders schnelle und sparsame NAND-Flash-Chips. Auf dem Flash Memory Summit im …
Senkrechte Bohrungen und Durchkontaktierungen direkt durch das Silizium an Stelle von Drähten am Rand: Mit Through Silicon Vias baut Toshiba besonders schnelle und sparsame NAND-Flash-Chips. Auf dem Flash Memory Summit im …